Τόπος καταγωγής: | Κίνα |
---|---|
Μάρκα: | CRYLINK |
Πιστοποίηση: | Iso9001 |
Αριθμό μοντέλου: | CRYLINK-MgAl2O4Crystal |
Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 τεμάχια |
Τιμή: | negotiation |
Συσκευασία λεπτομέρειες: | χαρτοκιβώτιο |
Χρόνος παράδοσης: | 3-4 εβδομάδες |
Όροι πληρωμής: | TT |
Δυνατότητα προσφοράς: | 100 κομμάτια το /month |
Όνομα: | MgAl2O4 υποστρώματα κρυστάλλου | Κάθετος: | 5 |
---|---|---|---|
Ποιότητα επιφάνειας: | 10/5 | Διαστρέβλωση κυματομορφής: | το /4 @632nm |
Υψηλό φως: | γρανάτης γαδολίνιου γαλλίου,mgal2o4 σπινέλιος |
Περιγραφή
Ενιαίο crystalsare αργιλικών αλάτων μαγνήσιου (MgAl2O4 ή σπινέλιος) που χρησιμοποιείται ευρέως για τις μαζικές συσκευές ακουστικών κυμάτων και μικροκυμάτων και τα γρήγορα κρυσταλλικά υποστρώματα ολοκληρωμένου κυκλώματος. Το MgAl2O4 είναι ένα ελκυστικό υλικό για τις χρήσεις σε ένα ευρύ φάσμα των οπτικών, ηλεκτρονικών και δομικών εφαρμογών συμπεριλαμβανομένων των παραθύρων και των φακών, οι οποίοι απαιτούν την άριστη μετάδοση από το ορατό κατευθείαν στο μέσο IR. Η θεωρητική μετάδοση είναι πολύ ομοιόμορφη και πλησιάζει 87% μεταξύ 0,3 έως 5 μικρών. Τα χαρακτηριστικά μετάδοσης συναγωνίζονται αυτού ALON και του σαπφείρου σε στα μέσα τουκύμα IR, που καθιστά το ιδιαίτερα ελκυστικό για τις συνεχώς αυξανόμενες απαιτήσεις απόδοσης των συστημάτων απεικόνισης IR ρευμάτων και επόμενης γενιάς.
Επίσης διαπιστώνεται ότι MgAl2O4 είναι ένα καλό υπόστρωμα για IIIV συσκευή νιτριδίων. Ο σπινέλιος (MgAl2O4) είναι ένας υποψήφιος για τέτοιο υπόστρωμα GaN LDs. Η κρυσταλλογραφική δομή MgAl2O4 είναι ένας σπινέλιου τύπος (Fd3m), και η σταθερά δικτυωτού πλέγματός της είναι 8.083A. Το MgAl2O4 είναι ένα σχετικά χαμηλού κόστους υλικό υποστρωμάτων, το οποίο έχει εφαρμοστεί επιτυχώς στην αύξηση υψηλού - ταινίες ποιοτικού GaN. Το MgAl2O4 διασπιέται στο (100) αεροπλάνο. Οι κοιλότητες GaN LD έχουν λήφθουν με απλά να διασπάσουν τα υποστρώματα MgAl2O4 κατά μήκος της (100) κατεύθυνσης, η οποία θα λειτουργήσει επίσης καλά για ZnO. MgAl2O4 το κρύσταλλο είναι πολύ δύσκολο να αυξηθεί, λόγω της δυσκολίας στη διατήρηση μιας δομής ενιαίας φάσης.
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
καλές οπτικές, χημικές και θερμικές ιδιότητες |
καλές υψηλής θερμοκρασίας ιδιότητες |
σταθερή φυσική απόδοση |
Εφαρμογές
MgAl2O4 υπόστρωμα |
Κύρια προδιαγραφή
Υλικά |
MgAl2O4 |
Προσανατολισμός |
[100] ή [100] ή [111] <> |
Παράλληλος |
10 |
Κάθετος |
5 |
ποιότητα επιφάνειας |
10/5 |
Διαστρέβλωση κυματομορφής |
το /4 @632nm |
Λειότητα επιφάνειας |
το /8 @632nm |
Σαφές άνοιγμα |
>95% |
Chamfer |
<0> |
Ανοχή πάχους/διαμέτρων |
±0.05 χιλ. |
Μέγιστες διαστάσεις |
dia 50×100mm |
Επιστρώματα |
AR ΤΟ AR@940+1030HR @ ΤΟ 1030+HT@940+AR1030 |
Υλικά χαρακτηριστικά
Φυσικός και chemicalcharacteristics
Χημικός τύπος |
MgAl2O4 |
Δομή κρυστάλλου |
κυβικός: m3m |
Παράμετροι δικτυωτού πλέγματος, |
α = 8,083 |
Σημείο τήξης (℃) |
2130°C |
Πυκνότητα, g/cm3 |
3.61 g/cm3 |
Σειρά μετάδοσης |
0.215.3 μ |
Δείκτης διάθλασης |
1.8245 @0.8 μ, |
Σκληρότητα Mohs |
8 |
Θερμική αγωγιμότητα σε 25°C, wxcm-1xK-1 |
14.0 W (MK) |
Συντελεστής θερμικής επέκτασης |
7.45×10-6/K |
Ταχύτητα φάσης |
6500 m/s (100) στο κύμα κουράς |
Απώλεια διάδοσης |
6.5 dB/ms |
Συγκεκριμένη θερμότητα |
0,59 W.s/g/K |